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竞争力凸显,中微半导体聚焦刻蚀设备+MOCVD
文章来源自:申万宏源
中微半导体| 台积电 2019-09-12 09:12:19 阅读:211
摘要中微MOCVD 技术突破,把握国产替代关键节点。技术限制与市场推广为国产替代过程中的主要壁垒。

  中微半导体成立于2004年,现已成为全球半导体刻蚀设备五大供应商之一。自2010年起切入MOCVD领域,2018年占据全球氮化镓基LED用MOCVD新增市场41%份额,2018年H2占比更是达到了60%以上。公司核心管理团队稳定,联合创始人、核心技术人员和高管团队等均有数十年产业从业经验。

  中微MOCVD技术突破,把握国产替代关键节点。技术限制与市场推广为国产替代过程中的主要壁垒。中微产品在关键性能指标均达国际水平,核心技术均为自主研发,拥有专利保护。公司2017年起得到国内LED龙头厂商的大规模批量订单,一举打破了MOCVD市场垄断格局。在技术上的差异逐渐缩小后,售后运维能力便成为了客户关键考量因素。

  刻蚀设备高景气,国产化空间广阔。国内集成电路设备自给率5%左右,占全球市场比重仅1-2%,进口依赖严重,国产化刻不容缓。刻蚀设备为集成电路前道生产工艺中最重要设备之一,占晶圆制造价值量约24%。集成电路线宽微小化,结构3D化的趋势,导致对刻蚀技术的精确度和重复性要求更高,设备投资占比持续提升。

  中微刻蚀设备具国际竞争力,垄断格局渐突破。刻蚀设备行业高度集中,技术壁垒明显。

  2017年刻蚀设备市场CR3高达94%。中微设备在单位时间生产效率、关键尺寸稳定性、均匀性、颗粒污染率等核心指标上已具国际竞争力。主要客户涵盖台积电、中芯国际、联华电子等国际一线厂商。设备毛利率水平已同国际对标公司相近,为产品竞争力最佳验证。

  介质刻蚀设备已在台积电7nm、10nm先进制程产线工作,并与其联合进行5nm认证。

  随着产品竞争力不断获得客户验证,我们看好未来该公司刻蚀设备国产化替代持续取得突破。